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Infineon Technologies AUIRF7478QTR
| Artikelnummer: | AUIRF7478QTR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 7A 8SO |
| Datenblätte: |
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| ECAD -Modell: | |
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Infineon Technologies AUIRF7478QTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments AUIRF7478QTR.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SO Serie HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 4.2A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1740 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta) AUIRF7478QTR Einzelheiten PDF [English] AUIRF7478QTR PDF - EN.pdf -
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